可控硅觸發(fā)模塊TSC 低壓無功動態(tài)補償裝置，主要有斷路器、熔斷器、晶閘管過零投切開關組、電抗器、電容器、監(jiān)控終端、控制系統(tǒng)、柜溫系統(tǒng)、柜體等構成。
采用晶閘管模塊過零投切開關組投切電容器，當無功電流增大（減小）到定值時，調節(jié)器對的晶閘管輸出（或）停了觸發(fā)脈沖使之導通（或截止），而將電容器投入（退出）運行。
TSC可控硅觸發(fā)模塊
可控硅觸發(fā)模塊具有經濟、尺寸小、體積小、可靠性高、壽命長
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一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應有足夠的功率和寬度
為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導通需要一定的時間，不是一觸即通，只有當可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時，管子才能導通，所以觸發(fā)脈沖信號應有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導通。例如：一般可控硅的導通時間在6μs左右，故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上，一般取20～50μs，對于大電感負載，由于電流上升較慢，觸發(fā)脈沖寬度還應加大，否則脈沖終止時主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上，則可控硅又重新關斷，所以脈沖寬度下應小于300μs，通常取1ms，相當廣50Hz正弦波的18°電角度。
