（參考外形，以實物為準）

電子在電場的作用下，飛向基片過程中與氣體原子發生碰撞，使其電離產生出氣體正離子和新的電子；新電子飛向基片，離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現高速率濺射。

主要應用：

適用于掃描電子顯微鏡樣品鍍覆導電膜（金膜、鉑金、銀、鎳、銅等），儀器操作簡單方便，是配合各類型掃描電子顯微鏡制樣的儀器。是制備低維度，小尺寸納米材料器件實驗手段，廣泛應用于集成電路，光子晶體，低維半導體、微生物、超微膜材料等領域。

配套世界主流掃描電子顯微鏡廠家：

熱電（美國原荷蘭）FEI鎢絲陰極、場發射、飛納臺式等各類型電子顯微鏡，蔡司（德國）鎢絲陰極、場發射各系列的掃描電子顯微鏡，JEOL（日本電子）各類電鏡，日立（日本）各系列電鏡、臺式電鏡，TESCAN泰斯肯（捷克）各系列電鏡，還有如韓國“賽科”、COXEM庫賽姆、MIRERO等電鏡品牌及所有需要樣品前期處理，提高成像質量、增強導電性能等表面鍍膜處理的樣品制備工作。

低溫磁控型

1.顯示操作面為30°斜面，充分考慮操作的便捷和視覺體驗，方便觀察操作；

2.真空泵連接管路為金屬波紋管，美觀耐用；

3.微調閥調節靈敏準確，帶有刻度標識；

4.真空泵抽速快，噪音低，適合實驗室使用；

5.控制電路為控制板，工作穩定可靠；

6.顯示控制操作部分布局合理，使用方便；

7.結構簡單可靠，布局合理，維修操作空間大；

8.自動真空的進排氣，關機自動放棄（標準版手動放氣）

9.優化機型外觀，整潔大方，體積靈巧；

10.數字方式定時，0-9999秒區間自主調節；

11.采用冷陰極磁控濺射靶頭；

12.升降式上翻蓋結構，更換樣品方便快捷；

13.采用定制“凹”密封，更加方便操作；

14.增大樣品處理室空間，φ150X110高硬度耐高溫石英晶體；

15.定制型真空泵排氣過濾器；

16.獨立式升降樣品臺組件（標準為2支柱緊固型）；

u 石英處理室：

Φ150mm,高度110mm;

u 濺射類型：

冷陰極磁控型二級濺射；

u 樣臺尺寸：150mm,樣品臺插孔61個可選；

可升降和手動旋轉

u 樣品更換：升降式上翻蓋結構，上蓋打開可獨立支撐

u 靶材尺寸：Φ50（可選配定制高效率靶材）;

u 真空系統：型德國進口無油渦旋真空泵2L/S；

u 真空檢測：定制皮氏計，配合真空指針表，靈敏可靠；

u 真空保護：20Pa配有微量充氣閥調節工作真空；

u 真空泄壓：自動進排氣（無需手動放氣閥）；

u 電路保護：過載保護；

u  工作室工作媒介氣體：空氣或氬氣，配有氬氣專用進氣口；

涂層的厚度

   一般來說，用于掃描樣品時金屬的厚度為100—300 ?，經驗的厚度測定可由下面的公式得到：

        d=KIVt

   其中d是以“?！睘閱挝坏腻兡ず穸取?/span>

   K是常數，取決于濺射金屬和所充氣體，此時靶與樣品之間的距離大約是5cm。

   I是等離子流的單位mA。

   V是以“KV“為單位所施電壓（1.68KV）。

   t是以秒為單位的時間。

采用金靶和氬氣時K為0.17，如用空氣K為 0.07。因此對于典型的濺射。

例如：I為8mA，t為100秒則，d=KIVt=0.17′8′100=136 ?

即每秒1.36 ?

濺射速度依賴于濺射系統本身的清潔程度，因此保護工作室的清潔十分重要。