電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
Inductively Coupuled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE
SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA，動態(tài)溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統(tǒng)，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的的 SETECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。可用于加工各種各樣的襯底，從直徑高達(dá) 200 mm 的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件，且切換工藝非常容易。通過配置可用于刻蝕不同材料，包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體 (GaAs, InP, GaN, InSb)，介質(zhì)，石英，玻璃，硅和硅化合物 (SiC, SiGe)，還有金屬等。 SENTECH 提供用戶不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP 等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。
設(shè)備主要特點(diǎn)：
● 自主研發(fā)的ICP等離子源：三螺旋平行板天線 (PTSA) 等離子源是 SENTECH 等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA 源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。
● 高速刻蝕：對于具有高深寬比的高速硅基 MEMS 刻蝕，光滑的側(cè)壁可通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實(shí)現(xiàn)。
● 低損傷刻蝕：由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用等離子體刻蝕機(jī) SI 500 進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。
● 動態(tài)溫度控制：在等離子體刻蝕過程中，襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動態(tài)溫度控制的 ICP 襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在 -150°C 至 +400°C 的廣泛溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)良的工藝條件。
應(yīng)用展示：
SI 500
● ICP 等離子刻蝕機(jī)
● 帶預(yù)真空室
● 適用于 200 mm 的晶片
● 襯底溫度從 -20?°C 到 300?°C
SI 500 C
● 等溫 ICP 等離子刻蝕機(jī)
● 帶傳送腔和預(yù)真空室
● 襯底溫度從 -150?°C 到 400?°C
SI 500 RIE
● RIE 等離子刻蝕機(jī)
● 背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案
● 電容耦合等離子體源，可升級成 ICP 等離子體源 PTSA
SI 500-300
● ICP 等離子刻蝕機(jī)
● 帶預(yù)真空室
● 適用于 300 mm 晶片
