YCT MFM-3000F非接觸硅片測厚儀
工作原理：
設備配備上下兩個NIR探測器，通過獲得探測器位置和硅片反射，得到TT厚度，再通過NIR穿透DC tape獲得DC tape厚度T2，從而得到硅片厚度T1的數據。
技術參數
NIR 影像定位厚度量測模組 (Wavelegnth 840um )
1. 量測 1,000 um
2. 單層最小量測厚度: 10 um
3. 單層量測解析度 0.35 um
4. 顯示解析 0.01 um
5. 單層量測重複精度
a. (含厚度直線誤差的單點量點重覆精度)單層厚度> 50 um : < ± 0.01 x測量值單層厚度<= 50 um : ± 0.5 um
b. (不含厚度直線誤差的單點量點重覆精度) 20±1度C, 重覆精度 < ± 0.5 um
當環境溫度與振動更穩定, 量測樣品粗糙度達Rz<0.1um下, 重覆精度可達± 0.1 um
上層超薄膜量測模組
1. 量測點大小: 40um
2. 薄膜量測厚度 : 50um
3. 最小薄膜量測厚度: 1um
4. 顯示最小解析 : 0.01um
5. 複測量精度 : +0.25um
6. 高解析可見光譜儀
設備可同時加裝白光干涉鏡頭，實現3D掃描和量測
工作原理：
設備配備上下兩個NIR探測器，通過獲得探測器位置和硅片反射，得到TT厚度，再通過NIR穿透DC tape獲得DC tape厚度T2，從而得到硅片厚度T1的數據。
技術參數
NIR 影像定位厚度量測模組 (Wavelegnth 840um )
1. 量測 1,000 um
2. 單層最小量測厚度: 10 um
3. 單層量測解析度 0.35 um
4. 顯示解析 0.01 um
5. 單層量測重複精度
a. (含厚度直線誤差的單點量點重覆精度)單層厚度> 50 um : < ± 0.01 x測量值單層厚度<= 50 um : ± 0.5 um
b. (不含厚度直線誤差的單點量點重覆精度) 20±1度C, 重覆精度 < ± 0.5 um
當環境溫度與振動更穩定, 量測樣品粗糙度達Rz<0.1um下, 重覆精度可達± 0.1 um
上層超薄膜量測模組
1. 量測點大小: 40um
2. 薄膜量測厚度 : 50um
3. 最小薄膜量測厚度: 1um
4. 顯示最小解析 : 0.01um
5. 複測量精度 : +0.25um
6. 高解析可見光譜儀
設備可同時加裝白光干涉鏡頭，實現3D掃描和量測
