| 設備性能及技術參數： 1.設備功能 實現全自動對碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍寶石、陶瓷板、手機面板玻璃、藍玻璃、石英晶體片材等各種 WAFER 平板材料厚度等幾何特征及電學參數的精確測量及記錄。
2.適用范圍
可用于測量工件尺寸為 Φ2---Φ8（INCH）直徑的圓形及方型晶片或其它任意材質的平板。
3.測量精度及量程
厚度量程：100---1800um，測量精度與 WAFER 表面光潔度有些許聯系， 即：
測量重復精度（半導體類雙拋表面 WAFER）：±0.5um ;
測量重復精度（半導體類研磨表面 WAFER）: ±1um ; |
測量重復精度（藍寶石類單拋表面 WAFER）：±2um ; 4.工作模式選擇
本機共有五種測量模式以對應用戶不同的需求。
4.1 標準一電測量：按照半導體行業標準對 WAFER 中心點的厚度進行測量。
4.2 標準 5 點測量：按照半導體行業標準對 WAFER 的靠近邊沿的 4 點（左上、左下、右上及右下）及中心點的厚度進行測量。
4.3 企業內部標準一點測量：用戶自己定義的 WAFER 缺口附近的一個點的厚度進行測量。
4.420 點以內隨機點測：用戶自己根據生產需要可以在 20 個點以內，用鼠標在 WAFER 上選擇任意位置并對其厚度進行測量。
4.5 連續點測量：在由兩個端點確定的一條直線路徑上可以進行 100 點的連續厚度測量以檢查晶片的表面形態。
5.分選速度
為了保證不造成對 WAFER 表面造成損傷，研究人員建議的安全分選速度為：
>單點或中心測量模式速度: ≥130 片/小時
>標準 5 點測量速度：≥110 片/小時
