SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振
壓控晶振（VCXO）是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。
SHINSUNG晶振-SHNSUNG Crystal成立于1999年,中文為新松晶振，在當(dāng)年12月就開始生產(chǎn)OSC,VCXO,TCXO晶振,并于次年完成高頻100M壓控晶振的目標(biāo),是一家專業(yè)生產(chǎn)時(shí)鐘晶體振蕩器,主要給用戶提供的石英晶振，石英晶體振蕩器，32.768K晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，VCXO壓控晶振，有源晶振，無源晶振，石英晶體諧振器，貼片晶振，工業(yè)設(shè)備晶振等頻率元件,數(shù)碼相機(jī)晶振廠家，后期逐漸往小型的Shinsung晶振方向發(fā)展。產(chǎn)品外觀具有小體積石英晶體，耐高溫,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，包括電信，微處理器，汽車，儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。應(yīng)用范圍廣的特點(diǎn),在市場得到廣大群眾的信賴，所生產(chǎn)SHINSUNG晶振均采用優(yōu)異環(huán)保材料,符合國際ROHS指令，減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源。
公司主旨:以顧客為中心,基于價(jià)值的管理,人類和諧的價(jià)值，SHINSUNG在新的加工和測試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供的設(shè)計(jì)，追求質(zhì)量管理，并提供持續(xù)的新產(chǎn)品，為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，以滿足客戶在當(dāng)前和未來的需求。
| frequency range | 0.75 ~ 160.0MHz | 160.1 ~ 800.0MHz | REMARK | |
| frequency stability | ± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall ) | |||
| supply voltage VDD | 3.3V ± 5% | |||
| input current | 100 mA max | |||
| control voltage | 1.65V ± 1.65V | |||
| frequency pulling range | ± 100ppm min | |||
| operating temperature | STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃ | |||
| storage temperature | -55℃ ~ 125℃ | |||
| aging | ±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year | |||
| output | high level | VDD-1.025V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL) | ||
| low level | VDD-1.62V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL) | |||
| symmetry | 55/45 @ VDD-1.3V (PECL) | |||
| rise / fall time | 0.6ns typ. / 1.5ns max ( 20% to 80% of output waveform ) | |||
| Intergrate Jitter RMS | 1.0ps RMS (max) | 2.5ps RMS (max) | Intergrated 12KHz to 20MHz | |
| phase noise | @10 Hz | -75 | -65 | offset from carrier |
| @100 Hz | -95 | -95 | ||
| @1 KHz | -125 | -120 | ||
| @10 KHz | -140 | -125 | ||
| @100 KHz | -145 | -121 | ||
| start up time | 10 mS MAX | |||
| Tristate | enable : 0.7 VDD (min) / disable : 0.3 VDD (max) | |||
SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
石英晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振
1.作為良好的企業(yè)市民，遵循本公司的行動(dòng)方針，充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境。遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。
2.保護(hù)自然環(huán)境，充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù)，維持和保全生物多樣性。
3.有效利用資源和能源，認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性，努力進(jìn)行有效利用。
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn)，致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán)，努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)。
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù)，充分發(fā)揮綜合實(shí)力，推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù)，為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng)，充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng)，設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo)，定期修正，不斷改善，努力預(yù)防環(huán)境污染。
