【儀表網 儀表企業】近日，牛津儀器公司的原子層沉積技術(ALD)和2D材料專家與艾恩德霍芬理工大學合作開發了用于納米器件的二維過渡金屬硫化物(2D TMDS)原子層沉積(ALD) 系統——FlexAL-2D ALD系統。
FlexAL-2D ALD系統可在與CMOS兼容的溫度下生長2D材料，并可在大面積(200mm晶圓)上對厚度進行的數字控制。該系統的其他特征功能包括MoS2的自限制ALD生長、基礎平面或邊緣平面取向的可調形態控制，以創建先進的2D器件結構。
據該公司介紹，FlexAL-2D ALD系統可提供較寬的參數空間，使2D TMDS的生長溫度比CVD爐中更低。
埃因霍溫理工大學研究人員在今年七月的ALD會議上，首先介紹了使用ALD在450℃和低溫條件下生長二維MoS2材料的情況。他們展示了如何在CMOS兼容的SiO2 / Si襯底上采用等離子體增強型ALD技術合成二維MoS2膜。這些二維MoS2膜具有可調形態(平面和垂直立體納米級結構)。雖然3D鰭結構是諸如水分解等催化應用的理想結構，但2D平面形態在納米電子學中具有潛在的應用。
牛津儀器等離子技術公司的ALD產品經理Chris Hodson對這項研究感到高興：“艾恩德霍芬理工大學Bol博士及等離子體和材料處理(PMP)研究組在正在將ALD研究推向新的應用領域。2D材料是一個熱門話題，利用ALD允許其在較低溫度下生長，并且利用ALD沉積和其他加工方法在200毫米尺寸上合成2D材料，提供了新的能力與許多可能性。”
Ageeth Bol說：“研究人員對相對較低的溫度特別感興趣。對于CVD工藝，通常需要超過800℃，這對于半導體的應用來說通常是致命的，因為高溫會增加原子的擴散，這使得它們更難以到達正確的位置。我們希望有一個在較低溫度下生產高品質材料的工藝。這對于我正在處理的二維異質層是特別重要的，因為在更低的溫度下，層之間的原子擴散將減少。”
(原文標題：牛津儀器公司與艾恩德霍芬大學開發出二維材料低溫生長設備)
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