半導體在各行業(yè)上的應用
| UPS | 通信伺服器 | 新能源汽車 | 光伏發(fā)電 | 高鐵等 | |
| 主要使用半導體 | FET、二極管 | FET、IGBT、二極管 | FET、IGBT、二極管 | FET、IGBT、二極管 | IGBT、二極管 |
| Max電流 | 2~100A | 0.5~10A | 50~200A | 75A | ＞200V |
| 額定電壓 | 600~1000V | 600V | 650~2000V | 600~1200V | ＞5kV |
半導體行業(yè)應用案例
1. 功率半導體
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）
電壓規(guī)格：600V/1000~3000V
MOSFET（Metal-Oxide Silicon Field-Effect Transmitter）
電壓規(guī)格：12~300V
高功率大功率開關(guān)電源PAT-T系列1000V、1500V機型可對應功率半導體的高電壓大電流化。隨著太陽光面板的高電壓化以及電動汽車的普及，充電器馬達以及各種逆變器所使用的半導體也漸漸向高電壓、大電流化發(fā)展。
使用目的
· 產(chǎn)業(yè)機器
· 空調(diào)逆變器
· 光伏發(fā)電逆變器
· 電動汽車（EV）逆變器 etc...
測試內(nèi)容
· 信賴性評估
· 產(chǎn)品檢查、良否判定
· C-V測試
· I-V測試
· 高壓破壞、放電測試
· 半導體接點溫度特性評估
· Electromigration
IGBT的Tf（fall time）測試案例
Vce=600V、Ic=30A
Tf為Ic=27A（90%）~3A（10%）的時間
采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ進行測試。
Power MOSFET測試案例
Power MOSFET的使用電流至幾百A，自身的發(fā)熱是十分重要的參數(shù)。施加100us的脈沖對發(fā)熱的影響進行測試。測試系統(tǒng)上采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ。
PID測試
薄型寬量程可變開關(guān)型電源PWX系列可進行高速通信（LAN），從而可以實現(xiàn)功率半導體評估測試中的PID測試。
重點：對半導體進行老化測試。測定車載半導體的溫度，并用時序創(chuàng)作軟件重現(xiàn)其溫度特性進行老化測試。通過控制半導體的電流來實現(xiàn)實車半導體的溫度變化，要求直流電源可以進行外部的高速控制。由此菊水的直流電源PWX系列可滿足此要求。
半導體接點溫度特性評估
重點：由于溫度上升速度快，需要高速的外部控制（如LAN接口）。
過渡熱測試
重點：半導體的過渡熱測試是通過大電流高速上升測試半導體內(nèi)部的溫度變化。使幾百A~千幾百A的電流在幾ms內(nèi)上升。如果使用PAT-T系列單體，在幾ms之內(nèi)可到達。如果使用與PLZ-5W系列并用，上升速度將更快。
2. IC
GaAsIC：Galium Arsenide Integrated Circuit
MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit
LSI：Large Scale Integration
使用目的
· 手機
· 通信機器半導體元器件
· 無線LAN
· PC
· GPS etc
測試內(nèi)容
· 電流脈沖
· 電源過電壓法
· 電壓脈沖
· ESD脈沖（Electro-Static Discharge）
電源過電壓法
重點：
· DC電源需要低紋波、線性電源較多被采用
· 電子負載裝置需要滿足高速響應
電壓脈沖法
重點：PBZ由于低紋波并且可以輸出高速、高頻率波形，因此被廣泛采用。
薄型寬量程可變開關(guān)型電源
PWX系列
· 采用高度為1U的薄型、輕量設(shè)計，提高了機柜裝配效率
· 輸出范圍大，能夠組合電壓/電流設(shè)定的功率型產(chǎn)品（3倍）
· 配備功率因數(shù)改善電路：0.99（100V輸入時）、0.97（200V輸入時）
*TYP值
· 標準配備LAN、USB、RS232C通訊接口
· 單控并聯(lián)運行功能（相同機型Max4臺）
· 簡單串聯(lián)運行（相同機型2臺）
*PWX750HF、PWX1500H除外
本文來源于KIKUSUI菊水
產(chǎn)品詳情FPWX系列機架安裝直流電源
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