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SMU源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺

時間:2024/5/29閱讀:708
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 本科生微電子器件及材料實驗目的

通過實驗動手操作,加深對半導體物理理論知識的理解,掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養分析問題和解決問題的能力。


本科生微電子器件及材料實驗目錄
實驗一:金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二:四探針法測量半導體電阻率測試實驗
實驗三:        MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四:半導體霍爾效應測試實驗實驗
實驗五:激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六:太陽能電池的特性表征實驗


本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢

滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設備簡單易用,專業全,方便學生動手操作
核心設備測試精度高,滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全,平臺化設計,有專人維護支持,與專業測試軟件使用相同架構
以基礎平臺為起點,可逐步升級,滿足日益增加的實驗室測試需求


本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能

實驗名稱

測試參數

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗

輸出特性曲線

轉移特性曲線

跨導gm

擊穿電壓BVDS

四探針法測量半導體電阻率測試實驗

 

四探針法電阻率ρ

材料阻值R

MOS電容的CV特性測試實驗(低頻 +                                           高頻)

CV特性曲線

半導體霍爾效應測試實驗

霍爾電壓VH

霍爾電阻率ρ

霍爾系數RH

載流子濃度n

霍爾遷移率u

 

激光二極管LDLIV特性測試

 

LIV特性曲線

閾值電流Ith

閾值電流對應電壓值Vth

拐點Kink

線性電阻Rs

太陽能電池的特性表征

 

開路電壓Voc

短路電流Isc

功率最大值Pmax

填充因子FF

轉換效率η

串聯電阻Rs

旁路電阻Rsh






本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心

測試平臺的核心– 源測量單元(源表, SMU)

普賽斯國產源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進器件和材料測試需求


交流測試使用LCR表

 


探針臺:4寸或6寸手動探針臺


 

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