隨著科技的不斷進步和新材料的性能提升，功率半導體器件的結構正逐漸復雜化，而功率半導體的襯底材料也朝著大尺寸和新型材料的方向發展。特別是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料，因其出色的物理特性，如高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩定性以及能夠承受大功率等，已經在汽車、充電樁、光伏發電、風力發電、消費電子、軌道交通、工業電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領域得到廣泛應用。尤其是800V架構的出現，不僅直接提升了設備的性能，還從供給端、應用端和成本端帶來了多重優勢。這一發展趨勢預示著，在未來五年內，新能源汽車將成為碳化硅（SiC）材料的主要應用領域。

        隨著半導體技術的持續進步，制程工藝的不斷提升，對半導體器件的測試和驗證工作也日趨關鍵。功率半導體器件，作為一種特殊的復合全控型電壓驅動器件，其顯著特點在于同時具備高輸入阻抗和低導通壓降，這兩大優勢使其在應用中占有重要地位。然而，半導體功率器件的芯片屬于電力電子芯片范疇，其工作環境惡劣，常常面臨大電流、高電壓、高頻率等多重挑戰，對芯片的可靠性要求及高。這種幾端的工作環境對測試工作提出了更高要求，增加了測試的難度和復雜性。因此，我們必須持續優化測試方法，提高測試精度，以確保功率半導體器件在各種幾端條件下都能穩定可靠地工作。

        鑒于碳化硅（SiC）體系固有的復雜界面缺陷，易引發顯著的漂移特性。加之該材料存在多種不穩定機制，如陷阱充電（μs級或更低）、陷阱激活及陷阱恢復等，均對漂移電荷產生復雜影響。因此，相較于傳統硅基（Si）材料，碳化硅的測試流程更為繁瑣。隨著行業發展，企業對于測試的需求亦有所轉變，由原先的CP+FT模式擴展至CP+KGD test +DBC test+FT，甚至包括SLT測試等。此外，應用端的多樣化導致終端廠商根據實際需求進行定制化封裝，封裝形式的多樣性亦給測試工作帶來不小的挑戰。目前，三溫測試中，低溫測試在產線的需求尚不突出，但常溫和高溫測試已得到廣泛應用。

        針對碳化硅（SiC）材料的篤特性質，如閾值電壓VGS（th）的漂移等，當前行業內存在多種測試標準，對測試設備的兼容性提出了較高要求。由于碳化硅的尺寸小且耐高溫，這給測試過程帶來了顯著的應力挑戰。傳統的靜態測試方法通過直流加電即可實現，但對于碳化硅芯片而言，若加電時間過長，將導致器件過熱，從而測試失敗。隨著交通和電力領域對節能減排需求的日益迫切，精確測量功率器件在高流/高壓條件下的I-V曲線或其他靜態特性變得尤為重要，這對現有的器件測試工具提出了更高的要求。

        普賽斯儀表為滿足用戶在不同測試場景下的需求，正式升級推出了三款功率器件靜態參數測試系統：PMST功率器件靜態參數測試系統、PMST-MP功率器件靜態參數半自動化測試系統以及PMST-AP功率器件靜態參數全自動化測試系統。這些產品廣泛適用于從實驗室到小批量、大批量產線的權方位應用，覆蓋Si IGBT、SiC MOS至GaN HEMT的各類功率器件，且可應用于晶圓、芯片、器件、模塊乃至IPM的全面測試。

        PMST系列功率器件靜態參數測試系統，是武漢普賽斯經過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅提供IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還具備高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優勢。其設計初衷在于全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的著越表現。

        普賽斯儀表作為國內手家成功實現高精密源/測量單元SMU產業化的企業，其PMST靜態測試系統采用模塊化集成設計，為用戶提供了極大的靈活性和便捷性。通過模塊化設計，用戶可以輕松地添加或升級測量模塊，以適應不斷變化的測量需求，從而實現蕞優的性價比。此外，該系統還具有高度的易用性，使得任何工程師都能夠快速掌握并使用，從而提升測試效率和產線UPH。