4月11日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊在實驗室內(nèi)合影。近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定。
這一創(chuàng)新解決了半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日，相關(guān)成果在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》雜志。
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊成員劉春森在實驗室,將硅片放入儀器,將清洗好的硅片放入容器內(nèi),在硅片上生長金屬電極,在實驗室內(nèi)對硅片進行切割,進行“電子束光刻”以及“定義圖形”,清洗硅片.
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