Emmi微漏電偵測(cè)系統(tǒng)簡(jiǎn)介

Emmi微漏電偵測(cè)系統(tǒng)是失效分析領(lǐng)域在破壞性分析過(guò)程中*的一項(xiàng)分析手段，其原理為利用紅外線探測(cè)器，偵測(cè)IC或者元器件的漏電發(fā)光位置，為芯片漏電分析做出準(zhǔn)確定位。

 2、Emmi微漏電偵測(cè)系統(tǒng)組成

    主機(jī)一套；InGaAs 攝像頭 1套;顯微鏡1套；探針臺(tái)1臺(tái)；

    控制電腦1臺(tái);控制軟件1套

  3、技術(shù)指標(biāo)

3.1、攝像頭部分：

   3.1.1 InGaAs CCD，可降溫到-70℃（外置式冰水機(jī)及半導(dǎo)體制冷同時(shí)工作）

   3.1.2偵測(cè)波長(zhǎng)范圍滿足900nm to 1700nm

   3.1.3 接收紅外像素640*512

   3.1.4 UV~NIR波段均可偵測(cè); 1000至1300nm波長(zhǎng)量子效率≥70%

   3.1.5像素尺寸： 20umX20um

   3.1.6采集晶片尺寸： 9.6×7.68mm；

   3.1.7 曝光時(shí)間 20ms及以上

   3.1.8 CCD系統(tǒng)讀寫噪聲：少于30電子。

3.2、顯微鏡部分：

   3.2.1采用日本MITUTOYU FS-70高解析度NIR顯微鏡

   3.2.2 NIR物鏡2.5X（NA=0.1）、NIR5X（NA=0.14）、NIR20X（NA=0.4）、NIR50X（NA=0.5）

   3.2.3電動(dòng)控制物鏡切換

   3.2.4具備NIR emmi光源（355nm-1550nm）及可見光源（355nm-700nm）并可軟件切換

3.3、探針臺(tái)部分

   3.3.1 八英寸探針臺(tái)1套，龍門式電動(dòng)控制

   3.3.2 8" x 8" travel X-Y with big knob driven

   3.3.3 高精度探針座4組，移動(dòng)精度0.7um

   3.3.4同軸探針桿4組，自帶BNC公頭

   3.3.5 真空開關(guān)獨(dú)立控制卡盤樣品吸附，一鍵氣浮式導(dǎo)航系統(tǒng)，手柄按鈕啟動(dòng)后承載臺(tái)處于氣浮狀態(tài)，具備手柄按鈕定位系統(tǒng)，定位后關(guān)閉氣浮系統(tǒng)，反向真空吸附承載臺(tái)。

3.3.6配合back side及front side應(yīng)用

3.3.6點(diǎn)針固定平臺(tái)

3.3.7探針點(diǎn)針固定裝置

3.4、控制電腦

   3.4.1  I5 CPU

   3.4.2  1T硬盤

   3.4.3  21寸LED顯示器以上

   3.4.4  電腦配置視當(dāng)時(shí)主流配置定制

3.5、主機(jī)構(gòu)

   3.5.1 電動(dòng)X, Y stage, 移動(dòng)范圍50mm, 移動(dòng)精度: 1um（能數(shù)值顯示）

   3.5.2電動(dòng)Z stage, 移動(dòng)范圍60mm, 移動(dòng)精度: 0.1um（能數(shù)值顯示）

   3.5.3 防震桌系統(tǒng)  防震效率 @ 10Hz  97%

   3.5.4 屏蔽箱采用防震桌一體式屏蔽箱，右向左滑動(dòng)式開門（非對(duì)開門）保證開門過(guò)程中盡量少震動(dòng)

   3.5.5 NIR照明燈

3.5.6具備系統(tǒng)遠(yuǎn)程控制臺(tái)及軟件控制單元

3.5.7軟件控制及遠(yuǎn)程控制臺(tái)可同時(shí)控制主機(jī)構(gòu)移動(dòng)及更換鏡頭，至少三種移動(dòng)速度選擇。（相應(yīng)速度可自己設(shè)定，需包含移動(dòng)保護(hù)單元）；

3.5.8 IR光可透過(guò)藍(lán)膜，對(duì)襯底直接觀測(cè)