MEMS加速度傳感器工藝尺寸將以8英寸為主，低功耗化已成為加速度傳感器廠商形成差異化的重要因素之一。
    在工藝方面，消費電子類MEMS傳感器以8英寸為主；汽車電子和醫(yī)療電子類MEMS傳感器以6英寸為主，預計到2018年左右基本以8英寸為主。
    為進一步改進尺寸及功耗以滿足市場需求，MEMS廠商也在加快應用新技術。意法半導體、博世和飛思卡爾等廠商都推出了2mm×2mm的3軸加速度傳感器，如意法半導體的LIS2DH、博世的BMA250、飛思卡爾的MMA8652等產(chǎn)品。而國內(nèi)廠商蘇州明皓預計2013年*季度推出國內(nèi)2mm×2mm的3軸加速度傳感器。展望未來，意法半導體、博世等大廠欲采用WLCSP和TSV技術以便生產(chǎn)更為小巧的加速度傳感器，面積有望縮小75%，達到1mm2。
    為了降低功耗，MEMS廠商除了不斷降低工作電流，還推出具有FIFO功能和低功耗模式的加速度傳感器。如ST LIS3DH擁有32級FIFO緩存器，可以用來緩存數(shù)據(jù)，減少處理器讀取次數(shù)，以減輕處理器負擔和降低功耗。目前低功耗化已成為加速度計廠商形成差異化的重要因素之一，降低功耗后不僅在智能手機市場上的銷售量會越來越多，而且還能夠以此為契機涉足要求低功耗化的其他應用領域。