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資料簡介
利用傳感器外部結(jié)構(gòu)的過載保護(hù)設(shè)計(jì),能夠很好地彌補(bǔ)單晶硅壓力傳感器自身過載保護(hù)設(shè)計(jì)的不足,不僅容易實(shí)現(xiàn),而且抗過載壓力能大幅提高。針對差壓傳感器和表壓傳感器及絕壓傳感器,傳感器外部結(jié)構(gòu)過載保護(hù)有2種不同的設(shè)計(jì)方案。
表壓傳感器以大氣壓作為參考壓力,其測量硅膜片的負(fù)腔直接通大氣;絕壓傳感器以絕對真空作為參考壓力,其測量硅膜片的負(fù)腔為真空封裝狀態(tài)。表壓和絕壓傳感器的外部過載保護(hù)設(shè)計(jì)和差壓傳感器有所不同
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