摘要 上海萱鴻電子KK110F120三社可控硅晶閘管等

摘要半導體器件動態參數測試系統系統概述IGBT是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件，其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。半導體器件動態參數測試系統...

摘要 晶閘管閥觸發控制器CFHV采用晶閘管端電壓過零觸發方式，專用于晶閘管閥開關電路的觸發控制，特別適合用于3—12KV系統 TSC投切電容器的無觸點開關，用于快速頻繁投切補償電容器。

摘要 可控硅控制器CF6B-5本控制器為三相相控交流調壓裝置的可控硅閉環觸發控制器。工作可靠，脈沖對稱度高，溫度穩定性好，功能齊全。適用于采用可控硅反并聯形式的三相交流調壓線路、電阻或電感性(變壓器)負載的交流調壓裝置(如電鍍、電氧化、電加熱……)。

摘要 可控硅控制器CF6B-2A本控制器為三相移相控制的雙閉環可控硅觸發控制器。適用于采用三相全控橋式，半控橋式與三相半波可控硅整流電路的直流電動機調速裝置和其它三相整流裝置。

摘要 可控硅控制器CF6B-1A本控制器為三相相控整流裝置的可控硅閉環觸發控制器。工作可靠，脈沖對稱度高，溫度穩定性好，功能齊全。適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電感性負載的直流調壓裝置(如電鍍、電氧化、電加熱)。

摘要 可控硅控制器CF6G-3本控制器為三相交流無觸點開關的可控硅觸發控制器。適用于各種三相交流無觸點開關電路,特別適合并聯補償電容器的三相交流無觸點開關裝置。

摘要 可控硅控制器CF6G-1B本控制器為三相交流調功、無觸點開關及交流調壓的可控硅觸發控制器。適用于各種采用可控硅三相交流調功或調壓電路的電加熱裝置。

摘要可控硅控制器CF2B-2B本控制器為可控硅單相可控整流或單相交流調壓通用的閉環觸發控制器。適用于單相全波、單相半控橋整流電路和雙向可控硅或普通可控硅反并聯的單相交流調壓電路。設有PI調節器，通過改變跳線或外接轉換開關可實現恒壓控制或恒流控制，并具有過流保護，觸發輸出為...

摘要 可控硅控制器CF6B-1C適用范圍及特性：本控制器為三相相控整流安裝的可控硅閉環觸發控制器。適用于三相橋式半控、三相橋式全控或帶均衡電抗器的雙反星形可控整流電路(如用于電鍍、電解、電氧化、電磁鐵、充電、電機勵磁等安裝)。

摘要 可控硅控制器CF6B-1K本控制器為三相相控整流安裝的可控硅閉環觸發控制器。工作牢靠，脈沖對稱度高，溫度穩定性好。適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶均衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電理性負載的直流調壓安裝(如電鍍、電氧化、電加熱 )。

摘要 可控硅控制器CF6K-1B適用范圍：本控制器為三相相控整流，相控交流調壓安裝的可控硅觸發控制器。適用于三相橋式半控，三相橋式全控或帶均衡電抗器的雙反星形可控整流電路。也適用于可控硅反并聯式三相交流調壓線路(用于電加熱安裝等)。

摘要可控硅（Silicon Controlled Rectifier） 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得...

摘要可控硅（Silicon Controlled Rectifier） 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得...

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