IXFL82N60P晶體三極管
FET 類型 | N 溝道 |
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技術 | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 600V |
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) | 55A(Tc) |
驅動電壓(zui大 Rds On,zui小 Rds On) | 10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(zui大值) | 5V @ 8mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(zui大值) | 240nC |
電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(zui大)@ Vgs | 10V |
Vgs(zui大值) | ±30V |
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(zui大值) | 23000pF |
電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(zui大) @ Vds | 25V |
FET 功能 | - |
功率耗散(zui大值) | 625W(Tc) |
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(zui大值) | 78 毫歐 @ 41A,10V |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 通孔 |
供應商器件封裝 | ISOPLUS264™ |
封裝/外殼 | ISOPLUS264™ |
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