型號：NRE-4000離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
廠家：美國Nanomaster公司
技術指標:離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
  氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2
 清洗氣路: CF4/O2混合氣體
  樣品尺寸：8英寸table,可沉積大6英寸基片
  控溫范圍： 室溫至400℃ 
 沉積材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等
主要功能及應用范圍：
   PECVD系統可以借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強化學活性發生反應，從而在基片上沉積出所期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優點。可沉積氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等材料，能夠實現對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應氣體組分在一定范圍內調節沉積薄膜的折射率，可應用于微/納結構中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、薄膜太陽能電池等。

2016年1月21日，上海交通大學激光制造實驗室迎十周年慶暨中德激光制造技術交流會在上海交通大學閔行校區舉行。中國*部長萬鋼和德國教研部部長Johanna Wanka女士出席并致辭。**司副司長陳家昌，上海市科委主任壽子琪，上海交通大學校長張杰、常務副校長林忠欽等出席會議。上海交通大學副校長黃震主持活動。