工作原理：通過內置的加熱和冷卻系統來控制樣品的溫度，可在很寬的溫度范圍內調節，同時配備真空泵抽取腔體內的空氣形成真空環境，以便在模擬的空間環境中對樣品進行測試。使用時，研究人員將樣品放置在探針臺的樣品臺上，通過控制系統設置所需的溫度和真空度，達到預設條件后，使用探針臺搭載的探針或其他測量工具對樣品進行電學性質的測量。

武漢真空高低溫探針臺結構組成：

制冷系統：通常采用液氦、液氮或制冷機等制冷技術，將溫度降低到極低的溫度范圍，如 4K 至 77K，以適應低溫實驗的要求。

加熱系統：一般由電熱絲或電阻爐等加熱裝置組成，可將樣品加熱到幾百攝氏度甚至更高溫度，如 300℃至 500℃。

溫度控制系統：常采用 PID 控制器或模糊邏輯控制器等，實現對溫度的精確控制和穩定，溫度控制精度可達 ±0.1K 至 ±1℃。

真空系統：由真空泵、真空腔、真空閥門和真空測量儀器等組成，可將樣品腔抽至真空狀態，防止親水性材料表面冷凝，提高測量的準確性和穩定性，真空度一般可達 10?3Pa 至 10??Pa。

探針臺：通常配備有各種類型的探針，如電壓探針、電流探針、電阻探針、微波探針等，以對材料進行各種實驗和測量。探針臂一般可在 X、Y、Z 三軸方向進行調節，并可進行面內 ±5° 旋轉，便于與樣品進行電氣或光學連接。

顯微鏡系統：用于觀察樣品和探針的位置，以便進行精確的對準和操作，通常配備有高分辨率的光學顯微鏡或電子顯微鏡，放大倍數一般為 10 倍至 2000 倍。

武漢真空高低溫探針臺性能參數：

溫度范圍：一般為 4K 至 500K 或更寬，可根據不同的制冷和加熱技術進行調整。

真空度：通常優于 5×10??Pa，可根據不同的真空系統和應用需求進行選擇。

探針定位精度：一般為 10μm 至 1μm，可根據不同的探針臂和位移臺技術進行調整。

漏電精度：一般為 10pA 至 100fA，可根據不同的探針和測量儀器進行選擇。

應用領域：

半導體材料與器件研究：用于測試半導體晶圓、芯片在高低溫下的電學性能，如載流子遷移率、電阻率、擊穿電壓等，有助于研究半導體材料的特性和器件的性能優化。

超導材料研究：可用于研究超導材料的臨界溫度、超導轉變特性、磁通釘扎等性能，探索新型超導材料和超導器件的應用。

光電器件研究：如光電二極管、激光二極管、光電探測器等光電器件在高低溫下的光電性能測試，有助于提高光電器件的性能和可靠性。